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*测不准——碳化硅SiC动态特性导致di/dt加快,电流采样方案需要具备纳秒级的解析度,否则测不准器件的动态特性
*测不全——碳化硅SiC高速开关,测试回路杂感高会带来的电压尖峰,在器件工作电压范围内测不全
*可靠性差——测试驱动电路需要具备的抗EMI力,否则易损坏被测器件,导致设备可靠性差
Edison功率模块动态特性测试系统可沉着应对SiC动态特性差异带来的测试难点。创新性层叠母排和电容结构设计,测试主回路杂感低至 6nH(Performance版)。高速、高频、高可靠、高共模瞬变抗扰度(CMTI)使SiC驱动器性能业界。使用泰克公司推出的新五系高分辨率示波器和专门用于高压差分信号测试的光隔离探头,为三代半导体器件动态特性表征带来更高带宽和更高测试精度。
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